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2SK3666-3-TB-E

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SMCP
数量：
 54  
说明：
 JFET SWITCHING DEVICE
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2SK3666-3-TB-E PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：SMCP
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：200 mW
电阻 - RDS(On)：200 Ohms
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4pF @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：180 mV @ 1 μA
漏极电流 (Id) - 最大值：10 mA
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1.2 mA @ 10 V
漏源电压（Vdss）：30 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：onsemi

以上是2SK3666-3-TB-E的详细信息，包括2SK3666-3-TB-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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