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2SK3309(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-220-3（SMT）标片
数量：
 8685  
说明：
 MOSFET MOSFET N-Ch 450V 10A Rdson=0.48Ohm
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2SK3309(Q)-TO-220-3（SMT）标片图片

2SK3309(Q) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：25 ns
功率耗散：65 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220 FL
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.65 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：450 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3309(Q)的详细信息，包括2SK3309(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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