点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
工厂包装数量：50
上升时间：12 ns
功率耗散：150 W
下降时间：75 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.012 Ohms
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba
以上是2SK3128(Q)的详细信息，包括2SK3128(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
