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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：12 ns
功率耗散：20 W
下降时间：34 ns
包装形式：Reel
封装形式：CPT3
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.7 Ohms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
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