2SJ360(TE12L,F)

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中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C730 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)60V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 155pF @ 10V
功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装

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