中文参数如下:
工厂包装数量:50
上升时间:15 ns
功率耗散:45 W
下降时间:25 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-220 NIS
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.045 Ohms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SJ349(F,T)的详细信息,包括2SJ349(F,T)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!