首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > 2SD1407A-O(F)

2SD1407A-O(F)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-220 NIS
数量：
 3681  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

2SD1407A-O(F) PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Bulk
最大功率耗散：30000 mW
封装形式：TO-220 NIS
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：70
增益带宽产品fT：12 MHz
最大直流电集电极电流：5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
集电极—基极电压 VCBO：100 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SD1407A-O(F)的详细信息，包括2SD1407A-O(F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTC043EUBTL
  • DTC014YUBTL
  • DTC014TUBTL
  • DTA043ZUBTL
  • DTA143XEFRATL
  • RN2114(TE85L,F)
  • DTC143EUA-TP
  • DTC114EE-TP
  • DTB113ZCHZGT116
  • DTA114YCAT116

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC