2SC5730TLR

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: TSMT-3
数量：: 3195
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN 30V 1A

一、本商品被浏览0次.

2SC5730TLR PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：500 mW
直流电流增益 hFE 最大值：180 at 100 mA at 2 V
集电极连续电流：1 A
封装形式：TSMT-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：180 at 100 mA at 2 V
增益带宽产品fT：270 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
集电极—基极电压 VCBO：30 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ROHM Semiconductor

以上是2SC5730TLR的详细信息，包括2SC5730TLR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：