中文参数如下：
工厂包装数量：100
最大功率耗散：75000 mW
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：22 at 2 A at 5 V
增益带宽产品fT：2 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流：15 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：800 V
集电极—基极电压 VCBO：1700 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba
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