2SC5171(Q,M)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-220 NIS
数量:
 14497  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN 180V 2A Transistor
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2SC5171(Q,M) PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
包装形式:Tube
最大功率耗散:20000 mW
封装形式:TO-220 NIS
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100
增益带宽产品fT:200 MHz
最大直流电集电极电流:2 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:180 V
集电极—基极电压 VCBO:180 V
晶体管极性:NPN
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是2SC5171(Q,M)的详细信息,包括2SC5171(Q,M)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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