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中文参数如下：
包装形式：Tube
最大功率耗散：5 W
直流电流增益 hFE 最大值：240
集电极连续电流：50 mA
封装形式：2-8H1A
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：80
增益带宽产品fT：200 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：150 V
集电极—基极电压 VCBO：150 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba
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