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中文参数如下:
包装形式:Bulk
最大功率耗散:300 mW
直流电流增益 hFE 最大值:700
集电极连续电流:100 mA
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:200
增益带宽产品fT:100 MHz
集电极—射极饱和电压:120 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V
集电极—基极电压 VCBO:120 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba
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