中文参数如下： 工厂包装数量：2000 最大功率耗散：900 mW 直流电流增益 hFE 最大值：160 at 500 mA at 2 V 封装形式：TO-92 安装风格：Through Hole 最大工作温度：+ 150 C 直流集电极/Base Gain hfe Min：160 at 500mA at 2V 增益带宽产品fT：120 MHz 最大直流电集电极电流：1.5 A 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V 集电极—基极电压 VCBO：30 V 晶体管极性：NPN 配置：Single RoHS：是 产品种类：两极晶体管 - BJT 制造商：Toshiba
