首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 达林顿晶体管 > 2SB1682(Q)

2SB1682(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3
数量：
 837  
说明：
 达林顿晶体管 PNP 160V 2A Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

2SB1682(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
直流集电极/Base Gain hfe Min：500
包装形式：Reel
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
最大集电极截止电流：10 uA
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—基极电压 VCBO：160 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Toshiba

以上是2SB1682(Q)的详细信息，包括2SB1682(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

最新产品：

  • C48TS013
  • D53TP50DH
  • MBR30100CT-E1
  • 74VHCT245AFT
  • 546BAA000598BBGR
  • R7F7010253AFE-C#KA2
  • TSM080N03EPQ56 RLG
  • P770010C-F9C000
  • 72281L20PF8
  • BZX84W-C10-QX

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC