中文参数如下:
工厂包装数量:5000
包装形式:Ammo
最大功率耗散:250000 mW
直流电流增益 hFE 最大值:120 at 5 A at 3 V
封装形式:SPT-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:120 at 5A at 3 V
最大直流电集电极电流:0.03 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:210 V
集电极—基极电压 VCBO:- 210 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ROHM Semiconductor
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