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中文参数如下：
工厂包装数量：10000
最大功率耗散：100 mW
直流电流增益 hFE 最大值：240
集电极连续电流：- 150 mA
封装形式：USM-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：120
增益带宽产品fT：80 MHz (Min)
最大直流电集电极电流：0.15 A
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：- 50 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba
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