2SA1163GRT5LFT

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：150 mW
直流电流增益 hFE 最大值：270 at 2 mA at 6 V
封装形式：S-Mini
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：350 at 2 mA at 6 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：120 V
集电极—基极电压 VCBO：120 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

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