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2N7002E-7

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 SOT-23-3
数量：
 1278  
说明：
 MOSFET N-Channel
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2N7002E-7-SOT-23-3图片

2N7002E-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：11 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：300 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3000 mOhms
漏极连续电流：0.24 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是2N7002E-7的详细信息，包括2N7002E-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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