首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > 2N6730

2N6730

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-237
数量：: 1387
说明：: 两极晶体管 - BJT POWER TRANSISTOR

一、本商品被浏览0次.

2N6730 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
直流电流增益 hFE 最大值：250
集电极连续电流：- 1 A
封装形式：TO-237
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 200 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50 mA
增益带宽产品fT：50 MHz
集电极—射极饱和电压：- 0.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 100 V
集电极—基极电压 VCBO：- 100 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N6730的详细信息，包括2N6730厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：