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2N6433

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-18
数量：: 261
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP High Voltage

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2N6433 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Box
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：500 mW
直流电流增益 hFE 最大值：150
集电极连续电流：100 mA
封装形式：TO-18
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：30
增益带宽产品fT：50 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
集电极—射极饱和电压：300 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V
集电极—基极电压 VCBO：300 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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