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中文参数如下：
工厂包装数量：400
包装形式：Box
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：40 W
集电极连续电流：0.45 A
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
增益带宽产品fT：2.5 MHz
最大直流电集电极电流：4 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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