2N6055

厂家:
  Central Semiconductor
封装:
 TO-3
数量:
 9130  
说明:
 达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington
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2N6055 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:20
最小工作温度:- 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:750 at 4 A at 3 V, 100 at 8 A at 3 V
集电极连续电流:0.45 A
包装形式:Sleeve
封装形式:TO-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:100 W
最大直流电集电极电流:8 A
集电极—基极电压 VCBO:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:达林顿晶体管
制造商:Central Semiconductor

以上是2N6055的详细信息,包括2N6055厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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