2N6035

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-126
数量：: 9712
说明：: 达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington

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2N6035 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
最小工作温度：- 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：500
集电极连续电流：4 A
包装形式：Box
封装形式：TO-126
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：40 W
最大集电极截止电流：500 uA
最大直流电集电极电流：4 A
集电极—基极电压 VCBO：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Central Semiconductor

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