2N5307_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 7704
说明：: 达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington

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2N5307_Q PDF参数资料

中文参数如下：

最小工作温度：- 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：2000
集电极连续电流：1.2 A
包装形式：Bulk
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：625 mW
最大集电极截止电流：0.1 uA
最大直流电集电极电流：1.2 A
集电极—基极电压 VCBO：40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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