首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > 2N3906TFR_Q

2N3906TFR_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 5832
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

一、本商品被浏览0次.

2N3906TFR_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集电极连续电流：- 0.2 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 0.1 mA at 1 V
增益带宽产品fT：250 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
集电极—射极饱和电压：- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V
集电极—基极电压 VCBO：- 40 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N3906TFR_Q的详细信息，包括2N3906TFR_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：