2N3859A

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92
数量:
 5994  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N3859A-TO-92图片

2N3859A PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:2000
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
直流电流增益 hFE 最大值:200
集电极连续电流:0.5 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100
增益带宽产品fT:250 MHz
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—射极饱和电压:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N3859A的详细信息,包括2N3859A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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