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中文参数如下:
包装形式:Box
封装形式:TO-39
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:60 at 100 mA at 1 V
增益带宽产品fT:300 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
集电极—基极电压 VCBO:50 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:过渡期间
制造商:Central Semiconductor
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