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2N3583

厂家：: Central Semiconductor
封装：
数量：: 6540
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN High Power

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2N3583 PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-213AA，TO-66-2
安装类型：通孔
工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：35 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 500mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）：10mA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：175 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 mA
晶体管类型：NPN
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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