2N3019

厂家:
  Central Semiconductor
封装:
 
数量:
 6945  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS
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2N3019 PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
安装类型:通孔
工作温度:175°C(TJ)
频率 - 跃迁:100MHz
功率 - 最大值:800 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V
电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
晶体管类型:NPN
产品状态:停产
包装:-
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

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