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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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NESG3032M14-A |
CEL
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25 |
射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp & Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：150 mW，安装风格... |
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NESG3032M14-EVNF24 |
CEL
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射频硅锗晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，包装形式：Box，... |
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NESG3032M14-T3-A |
CEL
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射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Tape，... |
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NESG3033M14-A |
CEL
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147 |
射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：150 mW，安装风格：SMD/SMT，... |
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NESG3033M14-T3-A |
CEL
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LeadLess Mini-Mold |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，封装形式：LeadLess Mini-Mold，包装形式：Tape，最大工作温度：+ 150 C，最小工... |
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NESG4030M14-A |
CEL
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LeadLess Mini-Mold |
29 |
射频硅锗晶体管 Low Noise, SiGe: C HBT 2V,6mA@5.8GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：105 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：LeadLess... |
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NESG4030M14-T3-A |
CEL
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe:C Amp & Osc with ESD protection. ROHS compliant |
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| 参数：制造商：CEL，包装形式：Tape，... |
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NESG7030M04-A |
CEL
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M04 |
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射频硅锗晶体管 NF .75dB Gain 14dB |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：是，集电极连续电流：30 mA，功率耗散：125 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M04，包装形式：Cut Tape，集电极... |
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NESG7030M04-T2-A |
CEL
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M04 |
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射频硅锗晶体管 NF .75dB Gain 14dB |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：是，集电极连续电流：30 mA，功率耗散：125 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M04，包装形式：Reel，集电极—发射极... |
