| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ULQ2003AQDRQ1 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 36,963 | 达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi- Crnt Darl Trans | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2003ATDG4Q1 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2,047 | 达林顿晶体管 Darl Trans Arrays | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2003ATDQ1 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 3,986 | 达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi Crnt Darl Trans | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2003ATDRG4Q1 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Darl Trans Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2003ATDRQ1 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 38 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2003ATPWRQ1 | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 1,835 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2003D1 | STMicroelectronics | 16-SO | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|停产|7 NPN 达林顿|500mA|50V|1.6V @ 500μA，350mA|-|1000 @ 350mA... | ||||||
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ULQ2003D1013TR | STMicroelectronics | 16-SO | 36,847 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：STMicroelectronics|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|7 NPN 达林顿|500mA|50V|1.6V... | ||||||
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ULQ2004A | STMicroelectronics | 16-DIP | 2,000 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|在售|7 NPN 达林顿|500mA|50V|1.7V @ 500μA，350mA|-|1000 @ 350mA... | ||||||
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ULQ2004AD | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2,435 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2004ADG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2004ADR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2,355 | 达林顿晶体管 Hi V & A Darlington | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2004ADRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2004AN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2004ATDRG4Q1 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2004ATDRQ1 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1,841 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
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ULQ2004D1 | STMicroelectronics | SOIC-16 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
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ULQ2004D1013TR | STMicroelectronics | SOIC-16 | 2365 | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：... | ||||||
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ULQ2801A | STMicroelectronics | 18-DIP | 达林顿晶体管 Eight NPN Array | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|在售|8 NPN 达林顿|500mA|50V|1.6V @ 500μA，350mA|-|1000 @ 350mA... | ||||||
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ULQ2802A | STMicroelectronics | 18-DIP | 达林顿晶体管 Eight NPN Array | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|在售|8 NPN 达林顿|500mA|50V|1.6V @ 500μA，350mA|-|1000 @ 350mA... | ||||||
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