| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BLF8G22LS-270GV,12 |
NXP Semiconductors
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CDFM6 |
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射频MOSFET电源晶体管 2.1GHz 65V 17.7dB |
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| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|17.3dB|28 V|-|-|2.4 A|80W|65 ... |
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BLF8G22LS-270GVJ |
NXP Semiconductors
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CDFM6 |
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射频MOSFET电源晶体管 |
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| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|... |
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BLF8G22LS-270V,112 |
NXP Semiconductors
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CDFM6 |
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射频MOSFET电源晶体管 2.1GHz 65V 17.7dB |
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| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|17.3dB|28 V|-|-|2.4 A|80W|65 ... |
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BLF8G22LS-270V,118 |
NXP Semiconductors
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CDFM6 |
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射频MOSFET电源晶体管 2.1GHz 65V 17.7dB |
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| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|17.3dB|28 V|-|-|2.4 A|80W... |
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BLF8G24L-200P,112 |
NXP Semiconductors
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SOT539A |
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射频MOSFET电源晶体管 2.35GHz 68V 16.5dB |
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| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.3GHz ~ 2.4GHz|17.2dB|28 V|-|-|1.74 A|60W|6... |
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BLF8G24L-200P,118 |
NXP Semiconductors
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SOT539A |
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射频MOSFET电源晶体管 2.35GHz 68V 16.5dB |
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| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.3GHz ~ 2.4GHz|17.2dB|28 V|-|-|1.74 A|6... |
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BLF8G24LS-200P,112 |
NXP Semiconductors
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SOT539B |
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射频MOSFET电源晶体管 2.35GHz 68V 16.5dB |
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| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.3GHz ~ 2.4GHz|17.2dB|28 V|-|-|1.74 A|60W|6... |
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BLF8G24LS-200P,118 |
NXP Semiconductors
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SOT539B |
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射频MOSFET电源晶体管 2.35GHz 68V 16.5dB |
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| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.3GHz ~ 2.4GHz|17.2dB|28 V|-|-|1.74 A|6... |
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BG 5412K H6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：24 ... |
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BG 5120K H6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：23 ... |
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BG 3430R H6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：25 ... |
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BG 3123 H6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：25 ... |
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BG 3130R H6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：24 ... |
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BG 3130 H6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：24 ... |
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BG 3123R H6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：25 ... |
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BF 2040W H6814 |
Infineon Technologies
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SOT-343 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1 GHz，增益：23 ... |
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BF 3020W E6327 |
Infineon Technologies
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BF3020WE6327XT，... |
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BF 2030W H6814 |
Infineon Technologies
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SOT-343 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1 GHz，增益：23 ... |
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BF 2030W H6824 |
Infineon Technologies
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SOT-343 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1 GHz，增益：23 ... |
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BF1211R,215 |
NXP Semiconductors
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SOT-143R |
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射频MOSFET电源晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|MOSFET|N 通道双门|400MHz|29dB|5 V|... |
