| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
BLF888BS,112 |
NXP Semiconductors
|
SOT-539B |
|
射频MOSFET电源晶体管 UHF pwr LDMOS transistor |
|
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：470 MHz to 860 MHz，增益：21 dB at 860 MHz... |
|
BLF8G10L-160,112 |
NXP Semiconductors
|
SOT502A |
|
射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|920MHz ~ 960MHz|19.7dB|30 V|-|-|1.1 A|35W|65 V|... |
|
|
BLF8G10L-160,118 |
NXP Semiconductors
|
SOT502A |
|
射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|920MHz ~ 960MHz|19.7dB|30 V|-|-|1.1 A|35W|6... |
|
|
BLF8G10L-160V,112 |
NXP Semiconductors
|
- |
|
射频MOSFET电源晶体管 960MHz 65V 19.7dB |
|
| 参数：NXP USA Inc.|管件|*|在售|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-... |
|
|
BLF8G10L-160V,118 |
NXP Semiconductors
|
- |
|
射频MOSFET电源晶体管 960MHz 65V 19.7dB |
|
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|*|在售|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-... |
|
BLF8G10LS-160,112 |
NXP Semiconductors
|
SOT502B |
|
射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|920MHz ~ 960MHz|19.7dB|30 V|-|-|1.1 A|35W|65 V|... |
|
|
BLF8G10LS-160,118 |
NXP Semiconductors
|
SOT502B |
|
射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|920MHz ~ 960MHz|19... |
|
BLF8G10LS-160V,112 |
NXP Semiconductors
|
SOT502B |
|
射频MOSFET电源晶体管 960MHz 65V 19.7dB |
|
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：19.7 dB，输出功率：160 W，汲极/源极击穿电压：65 V，闸/源击穿电... |
|
BLF8G10LS-160V,118 |
NXP Semiconductors
|
SOT502B |
|
射频MOSFET电源晶体管 960MHz 65V 19.7dB |
|
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：19.7 dB，输出功率：160 W，汲极/源极击穿电压：65 V，闸/源击穿电... |
|
BLF8G20LS-200V,112 |
NXP Semiconductors
|
LDMOST |
|
射频MOSFET电源晶体管 1.8-2GHz 65V 17.5dB |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.81GHz ~ 1.88GHz|17.5dB|28 V|-|-|1.6 A|55W|65 ... |
|
|
BLF8G20LS-200V,115 |
NXP Semiconductors
|
LDMOST |
|
射频MOSFET电源晶体管 |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|1.81GHz ~ 1.88GHz|... |
|
|
BLF8G20LS-200V,118 |
NXP Semiconductors
|
LDMOST |
|
射频MOSFET电源晶体管 1.8-2GHz 65V 17.5dB |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.81GHz ~ 1.88GHz|17.5dB|28 V|-|-|1.6 A|55W... |
|
|
BLF8G22L-160BV,112 |
NXP Semiconductors
|
CDFM6 |
|
射频MOSFET电源晶体管 160W LDMOS TRANSISTR |
|
| 参数：NXP USA Inc.|管件|-|在售|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|底座安装|SOT-1120B|CDFM6... |
|
|
BLF8G22L-160BV,118 |
NXP Semiconductors
|
CDFM6 |
|
射频MOSFET电源晶体管 160W LDMOS TRANSISTR |
|
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|在售|-|-|-|-|-|-|-|-|-|-|底座安装|SOT-1120B|CDFM6... |
|
|
BLF8G22LS-160BV,11 |
NXP Semiconductors
|
LDMOST |
|
射频MOSFET电源晶体管 pwr LDMOS transistor |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|18dB|32 V|-|-|1.3 A|55W|65... |
|
|
BLF8G22LS-160BV:11 |
NXP Semiconductors
|
LDMOST |
|
射频MOSFET电源晶体管 160W LDMOS TRANSISTR |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|18dB|32 V|-|-|1.3 A|55... |
|
BLF8G22LS-200GV,12 |
NXP Semiconductors
|
CDFM6 |
|
射频MOSFET电源晶体管 2.1GHz 65V 20dB |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|-|-|2 A|55W|65 V|底座... |
|
|
BLF8G22LS-200GVJ |
NXP Semiconductors
|
CDFM6 |
|
射频MOSFET电源晶体管 |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|-|-|2 A|55W|65 ... |
|
|
BLF8G22LS-200V,112 |
NXP Semiconductors
|
CDFM6 |
|
射频MOSFET电源晶体管 2.1GHz 65V 20dB |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|-|-|2 A|55W|65 V|底座... |
|
BLF8G22LS-200V,118 |
NXP Semiconductors
|
CDFM6 |
|
射频MOSFET电源晶体管 2.1GHz 65V 20dB |
|
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|-|-|2 A|55W|65 ... |
