| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF6G27-10 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G27-10,112 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G27-10,118 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 N-CH 65V 3.5A Trans MOSFET | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.5GHz ~ 2.7GHz|19dB|28 V|3.5A|-|130 mA|2W|... | ||||||
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BLF6G27-100,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|-|-|28 V|29A|-|900 mA|14W|65 V|底座安装|SOT-502A|SO... | ||||||
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BLF6G27-100,118 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 29A 0.16Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|-|-|28 V|29A|-|900 mA|14W|65 V|底座安装|SOT-502... | ||||||
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BLF6G27-10G | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G27-10G,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.5GHz ~ 2.7GHz|19dB|28 V|3.5A|-|130 mA|2W|65 V... | ||||||
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BLF6G27-10G,118 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 WIMAX POWER LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.5GHz ~ 2.7GHz|19dB|28 V|3.5A|-|130 mA|2W|... | ||||||
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BLF6G27-135 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G27-135,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G27-45 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G27-45,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.7GHz|18dB|28 V|20A|-|350 mA|7W|65 V|底座安装|SOT-... | ||||||
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BLF6G27-45,135 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS WIMAX PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.7GHz|18dB|28 V|20A|-|350 mA|7W|65 V|底座安装|... | ||||||
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BLF6G27-75,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 18A 3-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|-|-|28 V|18A|-|600 mA|9W|65 V|底座安装|SOT-502A|SOT... | ||||||
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BLF6G27L-40P,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.5GHz ~ 2.7GHz|17.5dB|28 V|-|-|450 mA|12W|6... | ||||||
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BLF6G27L-40P,118 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.5GHz ~ 2.7GHz|17.5dB|28 V|-|-|450 mA|1... | ||||||
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BLF6G27L-50BN,112 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.25Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.5GHz ~ 2.7GHz|16.5dB|28 V|-|-|430 mA|3W|65... | ||||||
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BLF6G27L-50BN,118 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.25Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.5GHz ~ 2.7GHz|16.5dB|28 V|-|-|430 mA|3... | ||||||
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BLF6G27LS-100,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 WiMAX PWR LDMOS Transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|-|-|28 V|29A|-|900 mA|14W|65 V|底座安装|SOT-502A|SO... | ||||||
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BLF6G27LS-100,118 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 29A 0.16Ohms | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.5GHz ~ 2.7GHz|17dB|28 V|29A|-|900 mA|14W|65 V... | ||||||
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