| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF6G22LS-100,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.2dB|28 V|29A|-|950 mA|... | ||||||
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BLF6G22LS-130 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G22LS-130 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G22LS-130,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|17dB|28 V|34A|-|1.1 A|30W|65 ... | ||||||
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BLF6G22LS-130,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G22LS-180PN,11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|17.5dB|32 V|-|-|1.6 A|50W|... | ||||||
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BLF6G22LS-180PN:11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|17.5dB|32 V|-|-|1.6 A|... | ||||||
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BLF6G22LS-180RN,11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|16dB|30 V|49A|-|1.4 A|40W|65 ... | ||||||
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BLF6G22LS-180RN:11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|16dB|30 V|49A|-|1.4 A|40W... | ||||||
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BLF6G22LS-40BN,112 | NXP Semiconductors | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR 40W | |||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：20，... | ||||||
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BLF6G22LS-40BN,118 | NXP Semiconductors | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR 40W | |||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：100，... | ||||||
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BLF6G22LS-40P,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|16A|-|410 mA|13.... | ||||||
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BLF6G22LS-40P,118 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17G... | ||||||
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BLF6G22LS-75 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G22LS-75 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G22LS-75,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.7dB|28 V|18A|-|690 mA|17W|... | ||||||
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BLF6G22LS-75,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.7dB|28 V|18A|-|690 mA|... | ||||||
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BLF6G22S-45,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|散装|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|-|-|405 mA|2.5W|6... | ||||||
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BLF6G24-12,112 | NXP Semiconductors | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | |||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，... | ||||||
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BLF6G24-180PN,112 | NXP Semiconductors | SOT539A | 射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor | ||
| 参数：NXP USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|2GHz ~ 2.2GHz|17.5dB|-|-|-|-|50W|-|底座安装|SOT539A|SOT... | ||||||
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