| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF6G20S-230PRN:11 | NXP Semiconductors | SOT539B | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.8GHz ~ 1.88GHz|17.5dB|28 V|-|-|2 A|65W|65 V|底... | ||||||
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BLF6G20S-45,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 13A | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.8GHz ~ 1.88GHz|19.2dB|28 V|13A|-|360 mA|2.5W|... | ||||||
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BLF6G20S-45,118 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 N-CH 65V 13A Trans MOSFET | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.8GHz ~ 1.88GHz|19.2dB|28 V|13A|-|360 mA|2... | ||||||
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BLF6G21-10G,112 | NXP Semiconductors | 2-CSMD | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|-|-|100 mA|700mW|... | ||||||
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BLF6G21-10G,135 | NXP Semiconductors | 2-CSMD | 射频MOSFET电源晶体管 TransMOSFET N-CH 65V | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|-|-|100 mA|70... | ||||||
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BLF6G22-180PN | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual Common Source，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电... | ||||||
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BLF6G22-180PN,112 | NXP Semiconductors | SOT539A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|17.5dB|32 V|-|-|1.6 A|50W|... | ||||||
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BLF6G22-180PN,135 | NXP Semiconductors | SOT539A | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|17.5dB|32 V|-|-|1.6 A|... | ||||||
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BLF6G22-180RN,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|16dB|30 V|49A|-|1.4 A|40W|65 ... | ||||||
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BLF6G22-45 | NXP Semiconductors | SOT-608A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，... | ||||||
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BLF6G22-45 /T3 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，闸/源击穿... | ||||||
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BLF6G22-45,112 | NXP Semiconductors | SOT-608A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，... | ||||||
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BLF6G22-45,135 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，闸/源击穿... | ||||||
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BLF6G22L-40BN,112 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|-|-|345 mA|2.5W|... | ||||||
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BLF6G22L-40BN,118 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|-|-|345 mA|2... | ||||||
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BLF6G22L-40P,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|16A|-|410 mA|13.... | ||||||
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BLF6G22L-40P,118 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|19dB|28 V|16A|-|410 mA... | ||||||
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BLF6G22LS-100 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G22LS-100 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G22LS-100,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.2dB|28 V|29A|-|950 mA|25W|... | ||||||
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