| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF6G20-45 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20-45 /T3 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20-45,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.8GHz ~ 1.88GHz|19.2dB|28 V|13A|-|360 mA|2.5W|... | ||||||
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BLF6G20-45,135 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.8GHz ~ 1.88GHz|19.2dB|28 V|13A|-|360 mA|2... | ||||||
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BLF6G20-75,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|19dB|28 V|18A|-|550 mA|29.5W|... | ||||||
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BLF6G20LS-110 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-110 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-110,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|19dB|28 V|29A|-|900 mA|25W|65... | ||||||
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BLF6G20LS-110,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-140 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-140 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-140,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-140,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-180RN,11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|17.2dB|30 V|49A|-|1.4 A|40W|6... | ||||||
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BLF6G20LS-180RN:11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|17.2dB|30 V|49A|-|1.4 A|4... | ||||||
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BLF6G20LS-75 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-75 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20LS-75,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|19dB|28 V|18A|-|550 mA|29.5W|... | ||||||
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BLF6G20LS-75,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G20S-230PRN,11 | NXP Semiconductors | SOT539B | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|-|-|28 V|-|-|2 A|65W|65 V|表面贴装型|SOT-539B|SOT539... | ||||||
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