| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF6G10LS-160,112 | NXP Semiconductors | SOT-502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：0.7 GHz to 1 GHz，... | ||||||
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BLF6G10LS-160,118 | NXP Semiconductors | SOT-502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：0.7 GHz to 1 GHz，... | ||||||
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BLF6G10LS-160RN,11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MHz|22.5dB|32 V|39A|-|1.2 A|32W... | ||||||
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BLF6G10LS-160RN:11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MHz|22.5dB|32 V|39A|-|1.2 A... | ||||||
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BLF6G10LS-200 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G10LS-200 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G10LS-200,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G10LS-200,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G10LS-200R | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G10LS-200R /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G10LS-200R,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G10LS-200R,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G10LS-200RN,11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 2-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|最后售卖|LDMOS|-|871.5MHz ~ 891.5MHz|20dB|28 V|49A|-|1.4 A... | ||||||
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BLF6G10LS-200RN:11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 2-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|最后售卖|LDMOS|-|871.5MHz ~ 891.5MHz|20dB|28 V|49A|-|1.4 A|40W... | ||||||
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BLF6G10LS-260PRN,1 | NXP Semiconductors | SOT539B | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|917.5MHz ~ 962.5MHz|22dB|28 V|64A|-|1.8 ... | ||||||
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BLF6G10LS-260PRN:1 | NXP Semiconductors | SOT539B | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|917.5MHz ~ 962.5MHz|22dB|28 V|64A|-|1.8 A|40... | ||||||
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BLF6G10S-45 | NXP Semiconductors | SOT-608B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：0.7 GHz to 1 GHz，... | ||||||
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BLF6G10S-45,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MHz|23dB|28 V|13A|-|350 mA|1W|6... | ||||||
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BLF6G13L-250P,112 | NXP Semiconductors | SOT-1121A | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.3 GHz，增益：17 dB，输出功率：250 W，汲极/源极击穿电压：... | ||||||
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BLF6G13LS-250P,112 | NXP Semiconductors | SOT-1121B | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.3 GHz，增益：17 dB，输出功率：250 W，汲极/源极击穿电压：... | ||||||
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