| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLS6G3135S-120,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS S-BAND RADAR LDMSO | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|3.1GHz ~ 3.5GHz|11dB|32 V|7.2A|-|100 mA|120W|60... | ||||||
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BLS6G3135S-20,112 | NXP Semiconductors | SOT-608B | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS S-BAND RADAR LDMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：3.1 GHz to 3.5 GHz，增益：15.5 dB，输出功率：2... | ||||||
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BLS7G2325L-105,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|在售|LDMOS|-|2.3GHz ~ 2.5GHz|18dB|10 V|5μA|-|-|110W|65 V|-|S... | ||||||
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BLS7G2933S-150,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR POWER TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.9GHz ~ 3.3GHz|13.5dB|32 V|33A|-|100 mA|150W|6... | ||||||
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BLM6G22-30G,118 | NXP Semiconductors | 16-HSOP | 射频MOSFET电源晶体管 W-CDMA 2100-2200MHZ POWER MMIC | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2.1 GHz to 2.2 GHz，增益：29.5 dB，输出功率：2 W... | ||||||
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BLM6G22-30,118 | NXP Semiconductors | 16-HSOPF | 射频MOSFET电源晶体管 W-CDMA 2100-2200MHZ POWER MMIC | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2.1 GHz to 2.2 GHz，增益：29.5 dB，输出功率：2 W... | ||||||
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BLA0912-250 | NXP Semiconductors | SOT-502A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：0.96 GHz to 1.215... | ||||||
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BLA0912-250,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|960MHz ~ 1.22GHz|13dB|36 V|-|-|-|250W|75 V|底座安装... | ||||||
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BLA0912-250R,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS LDMOS NCH 75V | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|960MHz ~ 1.22GHz|13dB|36 V|-|-|-|250W|75 V|底座安装... | ||||||
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BLA1011-10 | NXP Semiconductors | SOT-467C | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.03 GHz to 1.09 ... | ||||||
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BLA1011-10,112 | NXP Semiconductors | SOT467C | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|散装|-|停产|LDMOS|-|1.03GHz ~ 1.09GHz|15dB|36 V|2.2A|-|50 mA|10W|75... | ||||||
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BLA1011-2 | NXP Semiconductors | SOT-538A | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.03 GHz to 1.09 ... | ||||||
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BLA1011-2,112 | NXP Semiconductors | 2-CSMD | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.03GHz ~ 1.09GHz|16dB|36 V|2.2A|-|50 mA|2W|75 ... | ||||||
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BLA1011-200 | NXP Semiconductors | SOT-538A | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.03 GHz to 1.09 ... | ||||||
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BLA1011-200,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.03GHz ~ 1.09GHz|13dB|36 V|-|-|150 mA|200W|75 ... | ||||||
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BLA1011-200R,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS LDMOS NCH 75V | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|1.03GHz ~ 1.09GHz|13dB|36 V|-|-|150 mA|200W|75 ... | ||||||
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BLA1011-300 | NXP Semiconductors | SOT-957A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.03 GHz to 1.09 ... | ||||||
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BLA1011-300,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|散装|-|停产|LDMOS|-|1.03GHz ~ 1.09GHz|16.5dB|32 V|15A|-|150 mA|300W... | ||||||
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BLA1011S-200 | NXP Semiconductors | SOT-538B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.03 GHz to 1.09 ... | ||||||
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BLA1011S-200,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|散装|-|停产|LDMOS|-|1.03GHz ~ 1.09GHz|13dB|36 V|-|-|150 mA|200W|75 ... | ||||||
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