| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLS2933-100,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS MICRO PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.9GHz ~ 3.3GHz|8dB|32 V|12A|-|20 mA|100W|65 V|... | ||||||
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BLP7G07S-140P,118 | NXP Semiconductors | 4-HSOPF | 射频MOSFET电源晶体管 700-1GHz 65V 20.6dB | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|在售|LDMOS|双|700MHz ~ 1GHz|20.6dB|28 V|-|-|-|35W|65 V|表面贴装型|... | ||||||
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BLP7G22-10,135 | NXP Semiconductors | 12-HVSON（4x6） | 射频MOSFET电源晶体管 700-2200MHz 65V 27dB | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|在售|LDMOS|-|700MHz ~ 2.2GHz|27dB|28 V|-|-|110 mA|2W|65 V|表面... | ||||||
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BLS6G2731-120 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电... | ||||||
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BLS6G2731-120,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|不适用于新设计|LDMOS|-|2.7GHz ~ 3.1GHz|13.5dB|32 V|33A|-|100 mA|1... | ||||||
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BLS6G2731-6G | NXP Semiconductors | SOT975C | 射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl. | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电... | ||||||
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BLS6G2731-6G,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|Digi-Key 停止提供|LDMOS|-|2.7GHz ~ 3.1GHz|15dB|32 V|3.5A|-|25 ... | ||||||
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BLS6G2731P-200,117 | NXP Semiconductors | SOM038 | 射频MOSFET电源晶体管 WBAND 3.1GHz 32V | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|-|-|32 V|-|-|100 mA|-|32 V|底座安装|SOM038|SOM038... | ||||||
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BLS6G2731S-120 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电... | ||||||
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BLS6G2731S-120,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|在售|LDMOS|-|2.7GHz ~ 3.1GHz|13.5dB|32 V|33A|-|100 mA|120W|6... | ||||||
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BLS6G2731S-130,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR POWER TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|在售|LDMOS|-|2.7GHz ~ 3.1GHz|12dB|32 V|33A|-|100 mA|130W|60 ... | ||||||
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BLS6G2735L-30,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 60 | 射频MOSFET电源晶体管 60V 580mOhms | |
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|不适用于新设计|LDMOS|-|3.1GHz ~ 3.5GHz|13dB|32 V|-|-|50 mA|30W|60... | ||||||
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BLS6G2735LS-30,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 60V 580mOhms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|散装|-|Digi-Key 停止提供|LDMOS|-|3.1GHz ~ 3.5GHz|13dB|32 V|-|-|50 mA|... | ||||||
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BLS6G2933P-200,117 | NXP Semiconductors | SOM038 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|2.9GHz ~ 3.3GHz|11dB|32 V|66A|-|100 mA|215W|60 ... | ||||||
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BLS6G2933S-130 | NXP Semiconductors | SOT-922-1 | 射频MOSFET电源晶体管 130W, 2.9-3.3GHz Radar Appl. | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.9 GHz to 3.3 GH... | ||||||
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BLS6G2933S-130,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS S-BAND RADAR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|在售|LDMOS|-|2.9GHz ~ 3.3GHz|12.5dB|32 V|33A|-|100 mA|130W|6... | ||||||
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BLS6G3135-120 | NXP Semiconductors | SOT-502A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：3.1 GHz to 3.5 GH... | ||||||
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BLS6G3135-120,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|3.1GHz ~ 3.5GHz|11dB|32 V|7.2A|-|100 mA|120W|60... | ||||||
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BLS6G3135-20 | NXP Semiconductors | SOT-608A | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：3.1 GHz to 3.5 GH... | ||||||
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BLS6G3135-20,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|3.1GHz ~ 3.5GHz|15.5dB|32 V|2.1A|-|50 mA|20W|60... | ||||||
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