| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PTFA191001E V4 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to ... | ||||||
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PTFA191001E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1930-1990 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to ... | ||||||
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PTFA191001EV4XWSA1 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.96GHz|17dB|30 V|10μA|-|900 mA|44dBm|65 V... | ||||||
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PTFA191001F V4 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.96GHz|17dB|30 V|10μA|-|900 mA|44dBm|65 V... | ||||||
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PTFA191001F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1930-1990 MHz | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.96GHz|17dB|30 V|10μA|-|900 mA|44dBm|... | ||||||
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PTFA191001FV4FWSA1 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | |||
| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：FA191001FV4XP PTFA191001FV4，... | ||||||
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PTFA192001E V4 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA192001E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA192001F V4 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to ... | ||||||
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PTFA192001F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.99GHz|15.9dB|30 V|10μA|-|1.8 A|50W|6... | ||||||
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PTFA192001FV4FWSA1 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.99GHz|15.9dB|30 V|10μA|-|1.8 A|50W|65 V|... | ||||||
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PTFA192401E V4 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA192401E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA192401F V4 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA192401F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 240 W 1930-1990 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA210301E V2 | Infineon Technologies | H-30265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 30 W | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：... | ||||||
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PTFA210451E V1 | Infineon Technologies | H-30265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF POWER 45W | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：... | ||||||
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PTFA210601E V4 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：... | ||||||
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PTFA210601EV4XWSA1 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|16dB|28 V|10μA|-|550 mA|12W|65 V|表... | ||||||
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PTFA210601F V4 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|16dB|28 V|10μA|-|550 mA|12W|65 V|表... | ||||||
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