| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PTFA142401ELV4R250 | Infineon Technologies | H-33288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.45 GHz to 1.5 GHz... | ||||||
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PTFA142401FL V4 R250 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：2 A，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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PTFA142401FLV4 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.45 GHz to 1.5 GHz... | ||||||
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PTFA180701E V4 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz... | ||||||
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PTFA180701E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 1805-1880 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz... | ||||||
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PTFA180701F V4 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... | ||||||
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PTFA180701F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 1805-1880 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... | ||||||
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PTFA180701FV4FWSA1 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.84GHz|16.5dB|28 V|10μA|-|550 mA|60W|... | ||||||
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PTFA181001E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1805-1880 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... | ||||||
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PTFA181001F V4 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz... | ||||||
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PTFA181001F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1805-1880 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz... | ||||||
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PTFA181001GLV1 | Infineon Technologies | PG-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... | ||||||
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PTFA181001GLV1R250 | Infineon Technologies | PG-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... | ||||||
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PTFA181001HLV1 | Infineon Technologies | PG-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... | ||||||
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PTFA181001HLV1R250 | Infineon Technologies | PG-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... | ||||||
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PTFA190451E V1 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 45 W | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to ... | ||||||
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PTFA190451E V4 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA190451E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 45 W 1930-1990 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA190451F V4 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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PTFA190451F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 45 W 1930-1990 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... | ||||||
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