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点击查看LCMXO256C-5TN100C参考图片 LCMXO256C-5TN100C Lattice 100-TQFP(14x14) 91 CPLD - 复杂可编程逻辑器件 256 LUTS 78 I/O
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:128,延迟时间:3.5 ns,可编程输入/输出端数量:78,工作电源电压:1.8 V, ...
点击查看LCMXO1200C-3B256C参考图片 LCMXO1200C-3B256C Lattice 256-CABGA(14x14) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -3 SPD
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:211,工作电源电压:1.8 V,...
点击查看LCMXO1200C-3B256I参考图片 LCMXO1200C-3B256I Lattice 256-CABGA(14x14) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -3 SPD
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:211,工作电源电压:1.8 V,...
点击查看LCMXO1200C-3BN256C参考图片 LCMXO1200C-3BN256C Lattice 256-CABGA(14x14) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -3 SPD
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:420 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:21...
点击查看LCMXO1200C-3BN256I参考图片 LCMXO1200C-3BN256I Lattice 256-CABGA(14x14) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -3 SPD
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:420 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:21...
点击查看LCMXO1200C-3FT256C参考图片 LCMXO1200C-3FT256C Lattice 256-FTBGA(17x17) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:21...
点击查看LCMXO1200C-3FT256I参考图片 LCMXO1200C-3FT256I Lattice 256-FTBGA(17x17) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:21...
点击查看LCMXO1200C-3FTN256C参考图片 LCMXO1200C-3FTN256C Lattice 256-FTBGA(17x17) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTS 211 I/O
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:211,工作电源电压:1.8 V,...
点击查看LCMXO1200C-3FTN256I参考图片 LCMXO1200C-3FTN256I Lattice 256-FTBGA(17x17) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:21...
点击查看LCMXO1200C-3M132C参考图片 LCMXO1200C-3M132C Lattice 132-CSPBGA(8x8) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 101 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:10...
点击查看LCMXO1200C-3M132I参考图片 LCMXO1200C-3M132I Lattice 132-CSPBGA(8x8) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 101 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:10...
点击查看LCMXO1200C-3MN132C参考图片 LCMXO1200C-3MN132C Lattice 132-CSPBGA(8x8) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 101 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:10...
点击查看LCMXO1200C-3MN132I参考图片 LCMXO1200C-3MN132I Lattice 132-CSPBGA(8x8) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 101 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:420 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:10...
点击查看LCMXO1200C-3T100C参考图片 LCMXO1200C-3T100C Lattice 100-TQFP(14x14) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 73 IO 1.8/ 2.5/3.3V -3 Spd
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:73...
点击查看LCMXO1200C-3T100I参考图片 LCMXO1200C-3T100I Lattice 100-TQFP(14x14) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 73 IO 1.8/ 2.5/3.3V -3 Spd I
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:73...
点击查看LCMXO1200C-3T144C参考图片 LCMXO1200C-3T144C Lattice 144-TQFP(20x20) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 113 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:11...
点击查看LCMXO1200C-3T144I参考图片 LCMXO1200C-3T144I Lattice 144-TQFP(20x20) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 113 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I
参数:制造商:Lattice,RoHS:否,存储类型:SRAM,大电池数量:600,最大工作频率:500 MHz,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:11...
点击查看LCMXO1200C-3TN100C参考图片 LCMXO1200C-3TN100C Lattice 100-TQFP(14x14) 1,317 CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTS 73 I/O
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:73,工作电源电压:1.8 V, ...
点击查看LCMXO1200C-3TN100I参考图片 LCMXO1200C-3TN100I Lattice 100-TQFP(14x14) 119 CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 73 I/O 1.8/2.5/3.3V IND
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:73,工作电源电压:1.8 V, ...
点击查看LCMXO1200C-3TN144C参考图片 LCMXO1200C-3TN144C Lattice 144-TQFP(20x20) CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTS 113 I/O
参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,大电池数量:600,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:113,工作电源电压:1.8 V,...

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