| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
LA4064ZC-75TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) ispMACH4064Z | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:EEPROM,大电池数量:64,最大工作频率:168 MHz,延迟时间:7.5 ns,可编程输入/输出端数量:6... | ||||||
|
|
LA4064ZC-75TN48E | Lattice | 48-TQFP(7x7) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) ispMACH4064Z | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:EEPROM,大电池数量:64,最大工作频率:168 MHz,延迟时间:7.5 ns,可编程输入/输出端数量:3... | ||||||
|
LA4128V-75TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) ispMACH4128V | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:EEPROM,大电池数量:128,最大工作频率:168 MHz,延迟时间:7.5 ns,可编程输入/输出端数量:... | ||||||
|
LA4128V-75TN128E | Lattice | 128-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) ispMACH4128V | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:EEPROM,大电池数量:128,最大工作频率:168 MHz,延迟时间:7.5 ns,可编程输入/输出端数量:... | ||||||
|
LA4128V-75TN144E | Lattice | 144-TQFP(20x20) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) ispMACH4128V | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:EEPROM,大电池数量:128,最大工作频率:168 MHz,延迟时间:7.5 ns,可编程输入/输出端数量:... | ||||||
|
LA4128ZC-75TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) ispMACH4128Z | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:EEPROM,大电池数量:128,最大工作频率:168 MHz,延迟时间:7.5 ns,可编程输入/输出端数量:... | ||||||
|
LAMXO1200E-3FTN256E | Lattice | 256-FTBGA(17x17) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO1200E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:211,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
|
LAMXO1200E-3TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO1200E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:73,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 12... | ||||||
|
LAMXO1200E-3TN144E | Lattice | 144-TQFP(20x20) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO1200E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:113,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
|
LAMXO2280E-3FTN256E | Lattice | 256-FTBGA(17x17) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO2280E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:211,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
|
LAMXO2280E-3FTN324E | Lattice | 324-FTBGA(19x19) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO2280E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:271,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
|
LAMXO2280E-3TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO2280E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:73,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 12... | ||||||
|
LAMXO2280E-3TN144E | Lattice | 144-TQFP(20x20) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO2280E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:5.1 ns,可编程输入/输出端数量:113,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
|
LAMXO256C-3TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO256C | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:4.9 ns,可编程输入/输出端数量:78,工作电源电压:1.8 V, 2.5 V, 3.3... | ||||||
|
LAMXO256E-3TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO256E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:4.9 ns,可编程输入/输出端数量:78,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 12... | ||||||
|
LAMXO640C-3FTN256E | Lattice | 256-FTBGA(17x17) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640C | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:4.9 ns,可编程输入/输出端数量:159,工作电源电压:1.8 V, 2.5 V, 3.... | ||||||
|
LAMXO640C-3TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | 3,009 | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640C | |
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:4.9 ns,可编程输入/输出端数量:74,工作电源电压:1.8 V, 2.5 V, 3.3... | ||||||
|
LAMXO640C-3TN144E | Lattice | 144-TQFP(20x20) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640C | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:4.9 ns,可编程输入/输出端数量:113,工作电源电压:1.8 V, 2.5 V, 3.... | ||||||
|
LAMXO640E-3FTN256E | Lattice | 256-FTBGA(17x17) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:4.9 ns,可编程输入/输出端数量:159,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
|
LAMXO640E-3TN100E | Lattice | 100-TQFP(14x14) | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E | ||
| 参数:制造商:Lattice,RoHS:是,存储类型:SRAM,延迟时间:4.9 ns,可编程输入/输出端数量:74,工作电源电压:1.2 V,最大工作温度:+ 12... | ||||||
123/246 首页 上页 [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] 下页 尾页