| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
20DKD47 | Vishay/Cera-Mite | 瓷片电容器 4700pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:瓷片电容器,RoHS:否,电容:4700 pF,容差:- 20 %, + 80 %,电压额定值:20 kV,工作温度范围:- 3... | ||||||
|
20DKT50 | Vishay | 瓷片电容器 500pF 20KV +80/-20% | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:500 pF,容差:- 20 %, + 80 %,电压额定值:20 kV,工作温度范围:- 30 C to + 85 ... | ||||||
|
20TSD10 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 10% 0.001uF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,工作温度范围:- 55 C to + 125 C,端接类型:Ra... | ||||||
|
20TSD10HE | Vishay/Sprague | 瓷片电容器 1000pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:瓷片电容器,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:10 %,电压额定值:20 kV,损耗因数 DF:1.5,端接类型:Rad... | ||||||
|
20TSD10PH1A | Vishay/Sprague | 瓷片电容器 1000pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:瓷片电容器,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:1.5,端接类型:Radi... | ||||||
|
20TSD10RT | Vishay/Sprague | 瓷片电容器 1000pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:瓷片电容器,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:1.5,端接类型:Radi... | ||||||
|
20TSD15 | Vishay | 瓷片电容器 1500pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1500 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
|
20TSD15QA | Vishay/Sprague | 瓷片电容器 1500pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:瓷片电容器,RoHS:否,电容:1500 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial... | ||||||
|
20TSD18 | Vishay | 瓷片电容器 1800pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1800 pF,容差:10 %,电压额定值:20 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High V... | ||||||
|
20TSD22 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 10% 0.0022uF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2200 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
|
20TSD22BJ | Vishay/Sprague | 瓷片电容器 2200pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:瓷片电容器,RoHS:否,电容:2200 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:1.5,端接类型:Radi... | ||||||
|
20TSD27 | Vishay | 瓷片电容器 2700pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2700 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
|
20TSD33 | Vishay | 瓷片电容器 3300pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3300 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
|
20TSD33RF | Vishay/Sprague | 瓷片电容器 3300pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:瓷片电容器,RoHS:否,电容:3300 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:1.5,端接类型:Radi... | ||||||
|
20TSD39 | Vishay | 瓷片电容器 3900pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3900 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
|
20TSD47 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 10% 0.0047uF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:4700 pF,容差:10 %,电压额定值:2 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
|
20TSSD10 | Vishay | 瓷片电容器 1000pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:20 %,电压额定值:20 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 D... | ||||||
|
20TSSD15 | Vishay | 瓷片电容器 1500pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1500 pF,容差:20 %,电压额定值:20 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 D... | ||||||
|
20TSSD18 | Vishay | 瓷片电容器 1800pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1800 pF,容差:20 %,电压额定值:20 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 D... | ||||||
|
20TSSD22 | Vishay | 瓷片电容器 2200pF | |||
| 参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2200 pF,容差:20 %,电压额定值:20 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 D... | ||||||
133/257 首页 上页 [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] 下页 尾页