| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF7350PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 100V DUAL N- & P- CH HEXFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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IRF7350TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 100V 2.1A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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IRF7351PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7351TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7353D1PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 32mOhms 22nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7353D1TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 6.5A 32mOhm 22nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7353D2PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V FETKY 20 VBRD 29mOhms 22nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7353D2TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 6.5A 29mOhm 22nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7379IPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF7379PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF7379QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF7379QTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF7379TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 5.8A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF737LC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 300V 6.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF737LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 300V 6.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF7380PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 80V DUAL N-CH HEXFET 73mOhm VGS 10V | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7380QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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IRF7380QTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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IRF7380TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 7,880 | MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7389PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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