| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF7307PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF7307QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极... | ||||||
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IRF7307QTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极... | ||||||
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IRF7307TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 4.3A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF7309IPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF7309PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF7309QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF7309QTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF7309TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 19,443 | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF730A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ALPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 470 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730AS | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ASPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 1,641 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ASTRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ASTRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730ASTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF730B | Fairchild Semiconductor | TO-220 | MOSFET 400V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸... | ||||||
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IRF730BPBF | Vishay Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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IRF730PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 36,753 | MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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