| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF7103PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 50V DUAL N-CH HEXFET 130mOhms 12nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7103QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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IRF7103QTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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IRF7103TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 1 | MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7104PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET DUAL -20V P-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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IRF7104TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 7,974 | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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IRF7105PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF7105QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF7105QTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF7105TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 8,065 | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF710B | Fairchild Semiconductor | TO-220 | MOSFET 400V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸... | ||||||
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IRF710PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 7,680 | MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF710S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF710SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF710STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 15 | MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF710STRRPBF | Vishay/Siliconix | SMD-220 | MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF720 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF720_R4943 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRF7201PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7201TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：7.3 A，电... | ||||||
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