| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF644NPBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644NS | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644NSPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644NSTRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644NSTRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644NSTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 6,242 | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,050 | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644STRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF644STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 250V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF646_R4943 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-220AB | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRF650B_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-220 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRF654B_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-220 | MOSFET 250V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRF6603 | International Rectifier | DirectFET? 等容 MT | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF6603TR1 | International Rectifier | DIRECTFET? MT | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6604 | International Rectifier | Direct-FET MQ | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF6604TR1 | International Rectifier | DIRECTFET? MQ | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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IRF6607 | International Rectifier | DirectFET? 等容 MT | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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