| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF620S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF620SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,581 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF620STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF620STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,400 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF620STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF6215LPBF | International Rectifier | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6215PBF | International Rectifier | TO-220AB | MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6215SPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 20V -150V P-CH FET 290mOhms 44nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6215STRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,752 | MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6215STRRPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 290mOhms 44nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6216PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6216TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6217TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6218PBF | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF6218SPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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IRF6218STRLPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET MOSFT PCh -150V -27A 150mOhm 21nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF624 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF624B_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-220 | MOSFET 250V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRF624PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF624S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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